dbi20-04b ... dbi20-16b dbi20-04b ... dbi20-16b three-phase si-bridge-rectifiers dreiphasen-si-brckengleichrichter version 2013-06-26 dimensions - ma?e [mm] nominal current nennstrom 20 a repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 400...1600 v plastic case C plastikgeh?use 35 x 25 x 4 [mm] pinning C anschlussfolge + ~~~ C weight approx. C gewicht ca. 9 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging in tubes standard lieferform in stangen features vorteile solderable terminals for (automatic) pcb assembly enlarged creepage and clearance for direct heatsink assembly l?tbare anschlsse fr (automatisierte) leiterplattenmontage vergr??erte luft- und kriechstrecken fr direkte khlk?rpermontage maximum ratings grenzwerte type typ max. alternating input voltage max. eingangswechselspannung v vrms [v] repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm [v] 1 ) surge peak reverse voltage sto?pitzensperrspannung v rsm [v] 1 ) dbi20-04b 280 400 500 dbi20-08b 560 800 900 dbi20-12b 800 1200 1300 dbi20-16b 1000 1600 1700 repetitive peak forward current C periodischer spitzenstrom f > 15 hz i frm 38 a 2 ) peak forward surge current 50/60 hz half sine-wave sto?strom fr eine 50/60 hz sinus-halbwelle t a = 25c i fsm 200/210 a rating for fusing, t < 10 ms C grenzlastintegral, t < 10 ms t a = 25c i 2 t 180 a 2 s junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+150c -50...+150c 1 valid per diode C gltig pro diode 2 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case gltig, wenn die anschlsse in 5 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 0.5 1.3 1 6 0 . 2 4.0 0.2 4 - 0 . 3 2.0 1 6 . 5 1.0 4x7.5 2 5 0 . 2 35 0.2 type 1 . 5 3.5 4 0.2 5.5 0.2
dbi20-04b ... dbi20-16b characteristics kennwerte max. current without cooling dauergrenzstrom ohne khlung t a = 50c i fav 3.0 a 1 ) max. current mounted on heatsink dauergrenzstrom bei khlk?rpermontage t c = 100c r or c load i fav 20 a forward voltage C durchlass-spannung t j = 25c i f = 20 a v f < 1.3 v 2 ) leakage current C sperrstrom t j = 25c t j = 125c v r = v rrm i r i r < 10 a 2 ) < 4 ma 2 ) isolation voltage terminals to case isolationsspannung anschlsse zum geh?use v iso > 2500 v thermal resistance junction to ambient (per diode) w?rmewiderstand sperrschicht C umgebung (pro diode) r tha < 50 k/w thermal resistance junction to case (per diode) w?rmewiderstand sperrschicht C geh?use (pro diode) r thc < 5.0 k/w thermal resistance junction to case (per device) w?rmewiderstand sperrschicht C geh?use (pro bauteil) r thc < 0. 8 k/w admissible mounting torque zul?ssiges anzugsdrehmoment m4 9 10% lb.in. 1 10% nm 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case gltig, wenn die anschlsse in 5 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 valid per diode C gltig pro diode 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag rated forward current vs. temp. of the case in abh. v. d. geh?usetemperatur zul. richtstrom 120 100 80 60 40 20 0 i fav [%] [c] t c 150 100 50 0 10 10 10 1 10 3 2 -1 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0.4 v f 0.8 1.0 1.2 1.4 [v] 1.8 t = 25c j t = 125c j 240a-(10a-1,1v)
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